电磁脉冲防护理论与技术

HEMP/LEMP的产生与危害：
核爆以一种独特的方式与地球磁场和大气相互作用，从而产生电磁脉冲（EMP）；在目标区域产生强大的电磁脉冲冲击波，电场强度从1000V/m ～10^5V/m不等，具有高电压、高场强、频谱宽、范围广的特点，通过强大的辐射耦合效应，或者通过各类线缆进入电子、电气设备，对设备内部的半导体组件构成强大的损毁效应。
西北核技术研究所崔志同等利用PCI试验方法研究了电磁脉冲对集成半导体器件的损伤阈值，获得了阈值的概率分布函数，最小损伤阀值为15A，同时，几个安培的脉冲电流即可引发敏感性问题。按照场随时间变化的关系，电磁脉冲由三个部分构成，分别定义为：E1、E2、E3。电磁脉冲滤波器的用途：在E1、E2阶段，对分配电接口的后续用电设备提供电磁脉冲防护。

电磁脉冲的频谱特征：
LEMP雷电电磁脉冲属于雷电二次效应，在GJB8848(MIL-STD-464)标准中均有明确考核要求，其主要特点是：上升沿较宽，频谱主要分布在0~10MHz以内，频谱分布较HEMP简单，更容易防护。
HEMP在地表附近传播时，大致为一个平面波。时域波形为一个双指数波形，它的数学表达式为一个基于常数e的指数函数。根据行业的工程数据，在目标区域的功率频谱分布大致如下图所示 。

电磁脉冲的耦合机理：
EUT/SUT所接收的电磁脉冲干扰，主要取决于场源和空间耦合。 如果我们把核爆简单的看作是一副发射天线，则目标区域的场强与天线的发射功率，方向图，极化特性，效率，增益，距离等密切关联。同时，也与EUT/SUT和所在空间场的耦合系数密不可分。耦合系数主要受以下条件制约：EUT/SUT的几何形状，线缆的分布，搭接状况，电磁场暴露程度等。      
系统/设备级线缆电磁脉冲解决方案：